免费电子论坛

　　ME2306A-G一般说明　　ME2306A-G是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。　　ME2306A-G应用领域　　●笔记本中的电源管理　　●便携式设备　...

ME2306D一般说明ME2306D 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要高侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路，这些电路采用非常小的外形表面贴装封装。ME2306D应用● 笔记本电源管理● 便携设备● 负载开关GEN...

　　ME2307一般说明：　　ME2307是P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。 这种高密度工艺特别适合于最小化通态电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如：作为手机和笔记本计算机的电源管理以及其他电池供电的电路，在非常小巧的表面贴装封装中，需要较低的在线功率损耗。　　ME2307应用领域：　　●笔记本中的电源管理　　●便携式设备　　●电池供电系统　　●...

ME2308S/ME2308S-G，N沟道60V (D-S) MOSFET一般说明ME2308S 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路。产品应用●...

ME15N10一般说明ME15N10是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。ME15N10产品应用●笔记本中的电源管理●DC / DC转换器●负荷开关●液晶显示逆变器M...

一般说明ME2325 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路。应用● 笔记本电源管理● 便携设备● 电池供电系统● DC/DC 转换器● 负载开关●...

ME2328/ME2328-G，N - 通道 105-V (D-S) MOSFETME2328-G一般说明ME2328 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。ME2328-G应用：笔记本中的电源管理DC/DC 转换器负载开关LCD显示逆变器ME2328-G特征RDS(ON)≦270mΩ@VGS=...

　　ME2333 / ME2333-G，P沟道20V（D-S）MOSFET　　ME2333一般说明：　　ME2333是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要采用非常小巧的表面贴装封装进行高端开关...

　　ME2345A / ME2345A-G，P沟道30V（D-S）MOSFET　　ME2345A一般说明　　ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行...

ME4435/ME4435-G，P沟道30V (D-S) MOSFET一般说明ME4435是P沟道逻辑增强型功率场，效应晶体管采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑、计算机电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗。应用● 笔记本电源管理● 便携...