台湾松木P沟道ME2307/ME2307-G mos管

　　ME2307一般说明：

　　ME2307是P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。 这种高密度工艺特别适合于最小化通态电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如：作为手机和笔记本计算机的电源管理以及其他电池供电的电路，在非常小巧的表面贴装封装中，需要较低的在线功率损耗。

　　ME2307应用领域：

　　●笔记本中的电源管理

　　●便携式设备

　　●电池供电系统

　　●负荷开关

　　●DSC

　　GENERAL DESCRIPTION

　　The ME2307 is the P-Channel logic enhancement mode power field  effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench  technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook  computer power management and other battery powered circuits

　　where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

　　APPLICATIONS

　　● Power Management in Note book

　　● Portable Equipment

　　● Battery Powered System

　　● Load Switch

　　● DSC

　　ME2307特征：

　　●RDS（ON）≦70mΩ@ VGS = -10V

　　●RDS（ON）≦95mΩ@VGS=-4.5V

　　●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）

　　FEATURES

　　● RDS(ON) ≦70m?@VGS=-10V

　　● RDS(ON) ≦95m?@VGS=-4.5V

　　● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)