台湾松木ME2345A/ME2345A-G中低压mos管

　　ME2345A / ME2345A-G，P沟道30V（D-S）MOSFET

　　ME2345A一般说明

　　ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行开关和低串联电源损耗。

　　ME2345A产品应用

　　●笔记本中的电源管理

　　●便携式设备

　　●电池供电系统

　　●负荷开关

　　●DSC引脚配置

　　ME2345A/ME2345A-G，P-Channel 30V (D-S) MOSFET

　　GENERAL DESCRIPTION

　　The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field  effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited  for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where switching and low in-line power loss are needed in a very  small outline surface mount package.

　　APPLICATIONS

　　● Power Management in Note book

　　● Portable Equipment

　　● Battery Powered System

　　● Load Switch

　　● DSC PIN CONFIGURATION

　　ME2345A特征

　　●RDS（ON）≤68mΩ@ VGS = -10V

　　●RDS（ON）≦80mΩ@VGS=-4.5V

　　●RDS（ON）≦100mΩ@VGS=-2.5V

　　●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）

　　●出色的导通电阻和最大直流电流能力

　　FEATURES

　　● RDS(ON) ≦68m?@VGS=-10V

　　● RDS(ON) ≦80m?@VGS=-4.5V

　　● RDS(ON) ≦100m?@VGS=-2.5V

　　● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

　　● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability