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特征  小号1812  无铅且符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU快速跳闸可复位电路保护  用于自动化组装的表面贴装封装  机构认可：UL、TUV包装信息卷带式：每卷 1000 件。有效性：参考文件应是有效的问题招标日期。注意：超出额定电压或电流的操作可能会导致破裂电弧或火焰。零件号  推荐的回流焊方法：IR、气相和热风炉。可...

描述WMQ55P02T1 采用先进的电源沟槽技术，该技术经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。特征Vbs= -20V, Ip= -55ARos(on)< 8.2mQ @ Vcs= -4.5VRos(on)< 10mQ @ Vcs= -2.5V提供绿色设备低栅极电荷先进的高细胞密度沟槽技术100% EAS 保证应用大电流负载应用负载切换硬开关和高频电路不...

描述WMR 12N03T1 采用先进的电源沟槽技术，该技术经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。特征Vps =30V，lp=12A   Ros(on) < 9mΩ @ Vcs= 10V   Ros(on)< 12.5mΩ @ Vcs= 4.5V提供绿色设备高功率和电流处理能力应用电池保护能源管理负载开关...

产品特征导通小信号 MOSFETVDS= -30V，ID = -4.2ARDS(on) < 60mΩ @ VGS = -10VRDS(on) < 75mΩ @ VGS = -4.5V沟槽低压 MOSFET 技术机械特性SOT-23-3L 封装标记：编写代码符合 RoHS 标准原理图和 PIN 配置...

产品特征   Way-on 小信号 MOSFET   VDS= -12 V, ID = -6ARDS(on) < 28mΩ @ VGS = -4.5VRDS(on) < 40mΩ @ VGS = -2.5V   Trench LV MOSFET技术产品特性   SOT-23封装   标记：制作代码   符合 RoHS原理图和 PIN 配置...

产品特征   Way-on 小信号 MOSFET   VDS= -12 V, ID = -6A   RDS(on) < 28mΩ @ VGS = -4.5V   RDS(on) < 40mΩ @ VGS = -2.5V   Trench LV MOSFET技术产品特性   SOT-23封装   标记：制作代码   符合 RoHS   原理图和 PIN 配置产品应用   电源...

型号输出电压封装包装数量标记WR0332-10A30R1.0VSOT23-33K/ReelWR0332 10 (J)XXXXWR0332- 105A30R1.05VSOT23-33k/ReelWR0332 105 (J)XXXXWR0332-11A30R1.1VSOT23-33k/ReelWR0332 11 (J)XXXXWR0332-12A30R1.2VSOT23-33K/ReelW...

产品介绍：FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。产品特性...

　　产品描述：　　FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。...

产品介绍：FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。产品特性...