理光R1111系列 低消费电流电压稳压器

理光R1111系列 低消费电流电压稳压器

R1111 系列8V输入150mA电压稳压器R1111系列是基于CMOS工艺的LDO电压稳压器,可输出150mA。(1.5V≤ VSET≤ 1.7V时,100mA)最大输入电压高达8V,这使得该产品非常适合用于各种设备的电源,包括手持式通信设备。可以选择CE端子的极性。另外还准备了端子配置不同的R1121系列。 项目消费输入电压范围2.0 V to 8.0 V (9.0 V)工作温度范...
半导体芯片 85 0
理光半导体 R1114系列 LDO线性稳压器

理光半导体 R1114系列 LDO线性稳压器

R1114 系列150mA电压稳压器R1114系列是基于CMOS工艺可输出150mA的LDO电压稳压器。该系列产品的高纹波抑制和出色的负载瞬态响应使其非常适合用于手持式通信设备的电源。可以选择CE端子的极性。另外还准备了搭载自动放电功能的版本。 项目消费车载输入电压范围2.0 V to 6.0 V (6.5 V)工作温度范围-40°C to 85°C (125°C)电源电流Typ. 7...
半导体芯片 67 0
理光RP114K101D-TRB低压300mA LDO稳压器

理光RP114K101D-TRB低压300mA LDO稳压器

基本介绍:RP114x 是一款基于 CMOS 的稳压器 IC,具有高输出电压精度、低电源电流、低压差和高纹波抑制功能。该IC由电压基准单元、误差放大器、设定输出电压的电阻、短路电流限制电路、芯片使能电路等组成。 RP114x 的最小输入电压为 1.4V,输出电压可设置为 0.8V 至 3.6V(步长为 0.1V)。 该 IC 的输出电压在内部是固定的。由于内置了低导通电阻的晶体管,该I...
半导体芯片 50 0
理光RP114K331D-TRB低压300mA LDO稳压器

理光RP114K331D-TRB低压300mA LDO稳压器

基本介绍:RP114x 是一款基于 CMOS 的稳压器 IC,具有高输出电压精度、低电源电流、低压差和高纹波抑制功能。该IC由电压基准单元、误差放大器、设定输出电压的电阻、短路电流限制电路、芯片使能电路等组成。 RP114x 的最小输入电压为 1.4V,输出电压可设置为 0.8V 至 3.6V(步长为 0.1V)。 该 IC 的输出电压在内部是固定的。由于内置了低导通电阻的晶体管,该I...
半导体芯片 45 0
理光RP114N181D-TR-FF低压 LDO稳压器

理光RP114N181D-TR-FF低压 LDO稳压器

基本介绍:RP114x 是一款基于 CMOS 的稳压器 IC,具有高输出电压精度、低电源电流、低压差和高纹波抑制功能。该IC由电压基准单元、误差放大器、设定输出电压的电阻、短路电流限制电路、芯片使能电路等组成。 RP114x 的最小输入电压为 1.4V,输出电压可设置为 0.8V 至 3.6V(步长为 0.1V)。 该 IC 的输出电压在内部是固定的。由于内置了低导通电阻的晶体管,该I...
半导体芯片 81 0
理光R1224N332F-TR-FE降压DC/DC控制器

理光R1224N332F-TR-FE降压DC/DC控制器

R1224 系列是基于 CMOS 的低电源电流 PWM/VFM 降压 DC/DC 控制器,带有一个外部输出晶体管。通过简单地使用功率晶体管、电感器、二极管和电容器作为外部元件,可以轻松配置高效降压 DC/DC 转换器。 PWM/VFM 替代电路在较小的输出电流范围内自动切换到 VFM 控制,即使在较小的输出电流范围内也能提供高效率。还提供具有固定 PWM 控制和可调节输出电压以及外部电...
半导体芯片 63 0
理光RP110低压低消费电流150mA LDO稳压器

理光RP110低压低消费电流150mA LDO稳压器

RP110 系列是基于 CMOS 的 LDO 稳压器,具有 150mA 输出。 RP110 1µA 的典型超低电源电流使其非常适合在开启睡眠模式的电源系统中使用。 还提供通过消除 CE 引脚将电源电流降低到最低水平的版本。 输入电压 (VIN) 低至 Min。 1.4V,输出电压可设置为0.8V。 RP110 具有恒定斜率电路。 这意味着软启动功能,以减少上电时的浪涌电流。除了 SOT...
半导体芯片 54 0
理光R5478N101CD-TR-FF单节锂电池保护芯片

理光R5478N101CD-TR-FF单节锂电池保护芯片

R5478系列是高耐压CMOS工艺的保护IC,用于单节可充电锂离子/锂聚合物电池的过充、过放、 充电过流、放电过流,还有一个短路保护器,可防止短路及放电过流。IC由3个电压检测器,1个基准单元,1个延时电路,1个短路保护器,1个振荡器,1个计数器和1个逻辑模块组成。当过充电压低于检测阈值时,在一个内置固定延时后,引脚COUT的输出切换到低电平L。 过充解除条件可选择,锁存型在检测到过充...
半导体芯片 59 0
理光R5478N101CD-TR-FF单节锂电池保护芯片

理光R5478N101CD-TR-FF单节锂电池保护芯片

R5478系列是高耐压CMOS工艺的保护IC,用于单节可充电锂离子/锂聚合物电池的过充、过放、 充电过流、放电过流,还有一个短路保护器,可防止短路及放电过流。IC由3个电压检测器,1个基准单元,1个延时电路,1个短路保护器,1个振荡器,1个计数器和1个逻辑模块组成。当过充电压低于检测阈值时,在一个内置固定延时后,引脚COUT的输出切换到低电平L。 过充解除条件可选择,锁存型在检测到过充...
半导体芯片 57 0