Nisshinbo日清纺RP122K331D-TR线性稳压器

Nisshinbo日清纺RP122K331D-TR线性稳压器

 产品概述:RP122x是一款LDO稳压器,提供低输出噪声,高纹波抑制和快速响应特性,通过低电源电流实现。这种装置不仅适用于噪声敏感的场合应用如高性能模拟电路,还可用于各种应用。主要优势:实现低噪声,高PSRR和快速响应。采用4引脚小封装,无噪声旁路电容,节省空间。尽管具有低噪声LDO,但凭借9.5 μ A (typp)的低电源电流,为电池供电的设备提供长时间的运行。主要规格:输入电压...
半导体芯片 74 0
Nisshinbo日清纺RP122K181D-TR稳压器LDO

Nisshinbo日清纺RP122K181D-TR稳压器LDO

 产品概述:RP122x是一款LDO稳压器,提供低输出噪声,高纹波抑制和快速响应特性,通过低电源电流实现。这种装置不仅适用于噪声敏感的场合应用如高性能模拟电路,还可用于各种应用。主要优势:实现低噪声,高PSRR和快速响应。采用4引脚小封装,无噪声旁路电容,节省空间。尽管具有低噪声LDO,但凭借9.5 μ A (typp)的低电源电流,为电池供电的设备提供长时间的运行。主要规格:输入电压...
半导体芯片 44 0
Nisshinbo日清纺RP114N331D-TR-FE稳压器 LDO

Nisshinbo日清纺RP114N331D-TR-FE稳压器 LDO

 RP114x是一款基于cmos的稳压IC,具有高输出电压精度,低电源电流,低差和高纹波抑制。该集成电路由电压基准单元、误差放大器、设置输出电压的电阻器、短路限流电路、芯片使能电路等组成。RP114x的最小输入电压为1.4V,输出电压为0.8V至3.6V (0.1V步进)。这个集成电路的输出电压是内部固定的。由于内置晶体管具有低导通电阻,该集成电路具有低降压性能。低供电电流和芯片使能功...
半导体芯片 56 0
Nisshinbo日清纺RP114K331D-TRB低压LDO稳压器

Nisshinbo日清纺RP114K331D-TRB低压LDO稳压器

 RP114x是一款基于cmos的稳压IC,具有高输出电压精度,低电源电流,低差和高纹波抑制。该集成电路由电压基准单元、误差放大器、设置输出电压的电阻器、短路限流电路、芯片使能电路等组成。RP114x的最小输入电压为1.4V,输出电压为0.8V至3.6V (0.1V步进)。这个集成电路的输出电压是内部固定的。由于内置晶体管具有低导通电阻,该集成电路具有低降压性能。低供电电流和芯片使能功...
半导体芯片 31 0
Nisshinbo日清纺RP114K101D-TRB低压LDO稳压器

Nisshinbo日清纺RP114K101D-TRB低压LDO稳压器

 RP114x是一款基于cmos的稳压IC,具有高输出电压精度,低电源电流,低差和高纹波抑制。该集成电路由电压基准单元、误差放大器、设置输出电压的电阻器、短路限流电路、芯片使能电路等组成。RP114x的最小输入电压为1.4V,输出电压为0.8V至3.6V (0.1V步进)。这个集成电路的输出电压是内部固定的。由于内置晶体管具有低导通电阻,该集成电路具有低降压性能。低供电电流和芯片使能功...
半导体芯片 42 0
Nisshinbo日清纺RP112K281D-TR低噪声LDO稳压器

Nisshinbo日清纺RP112K281D-TR低噪声LDO稳压器

 描述RP112x是一款电压调节器(LDO),具有高输出电压精度,低电源电流,低通阻晶体管,低噪声输出电压和高纹波抑制。每个集成电路由以下部分组成:一个电压基准单元,一个误差放大器,一个用于输出电压设置的电阻网,一个限流电路,以及芯片使能电路。RP112x具有超低噪声,其纹波抑制在f = 1 kHz时低至80 dB,在f = 10时低至75 dB f = 100千赫时65分贝。输出噪声...
半导体芯片 61 0
Nisshinbo日清纺R1154H120B-T1-FB 150mA电压稳压器

Nisshinbo日清纺R1154H120B-T1-FB 150mA电压稳压器

 R1154x是一种电压调节器(VR),具有高输出电压精度和超低电源电流。R1154x内置峰值限流电路、短路限流电路和热关断电路。稳压器输出电压固定为R1154xxxxB,可调型为R1154x001C。输出电压精度为±2.0%。由于这些ic的封装是DFN1616-6, SOT-23-5和SOT-89-5,因此可以将ic高密度安装在板上。产品特性  电源电流  ................
半导体芯片 69 0
英集芯IP2368二至六串锂电池充放电芯片

英集芯IP2368二至六串锂电池充放电芯片

 概述IP2368 是一款集成 AFC/FCP/PD2.0/PD3.0 等输入输出快充协议 和 同步升降压转换器的锂电池充放电管理芯片;IP2368 的高集成度与丰富功能,只需一个电感实现同步降升压功能,在应用时仅需极少的外围器件,有效减小整体方案的尺寸,降低 BOM 成本。IP2368 支持 2/3/4/5/6 节串联电芯,可通过外接电阻选择电池串联节数;IP2368 支持外接电阻选...
半导体芯片 79 0
英集芯IP3247二至四节锂电池二级保护IC

英集芯IP3247二至四节锂电池二级保护IC

 产品简介IP3247 是用于 2 至 4 节串联锂离子电池组系统的过压监视器和保护器。独立监控每节电池是否具有过压状态。当检测到任意电池上存在过压状态时,通过对CD 引脚外部电容充电后的自由放电设定延时时间,当延时超时,则驱动过压保护。如果 CD 引脚开路或短路,则按内部的固定时间计时,当过压时间满足延时时间后,驱动过压保护。为了实现更快速的产品线测试,IP3247 器件提供具有较短...
半导体芯片 58 0
英集芯IP3005U内置MOSFET单节锂电池保护IC

英集芯IP3005U内置MOSFET单节锂电池保护IC

 产品简介IP3005U 系列 IC 是一款超高精度的单节锂离子/锂聚合物电池保护芯片,它内置功率MOSFET,全集成了超高精度的过充电压、过放电压、过放电流、过充电流检测保护电路。IP3005U 采用了精确的电压判断电路,让过充电压,过充恢复电压,过放电压,过放恢复电压的检测精度达到±50mV。IP3005U 系列 IC 拥有大范围的电压保护和过流检测选择,拥有精细的档位步进,可根据...
半导体芯片 241 0