松木P沟道MOS管ME2306A / ME2306A-G

半导体芯片 0 52
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　　ME2306A-G一般说明


　　ME2306A-G是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。


　　ME2306A-G应用领域


　　●笔记本中的电源管理

　　●便携式设备

　　●电池供电系统

　　●DC / DC转换器

　　●负荷开关

　　●DSC

　　●液晶显示逆变器

台湾松木P沟道MOS管ME2306A / ME2306A-G产品规格书



　　ME2306A-G特征


　　●RDS（开）≦32mΩ@ VGS = 10V

　　●RDS（开）≦38mΩ@VGS=4.5V

　　●RDS（ON）≦50mΩ@VGS=2.5V

　　●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）

　　●出色的导通电阻和最大直流电流能力


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