台湾松木ME2333/ME2333-G 中低压mos管

　　ME2333 / ME2333-G，P沟道20V（D-S）MOSFET

　　ME2333一般说明：

　　ME2333是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要采用非常小巧的表面贴装封装进行高端开关和低串联电源损耗。

　　ME2333产品应用：

　　●笔记本中的电源管理

　　●便携式设备

　　●电池供电系统

　　●DC / DC转换器

　　●负荷开关

　　●DSC

　　●液晶显示逆变器

　　ME2333/ME2333-G，P-Channel 20V (D-S) MOSFET

　　GENERAL DESCRIPTION

　　The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook

　　computer power management and other battery powered circuits where high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

　　APPLICATIONS

　　● Power Management in Note book

　　● Portable Equipment

　　● Battery Powered System

　　● DC/DC Converter

　　● Load Switch

　　● DSC

　　● LCD Display inverter

　　ME2333特征：

　　●RDS（ON）≦35mΩ@VGS=-4.5V

　　●RDS（ON）≦49mΩ@VGS=-2.5V

　　●RDS（ON）≦69mΩ@VGS=-1.8V

　　●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）

　　●出色的导通电阻和最大直流电流能力

　　FEATURES

　　● RDS(ON)≦35m?@VGS=-4.5V

　　● RDS(ON)≦49m?@VGS=-2.5V

　　● RDS(ON)≦69m?@VGS=-1.8V

　　● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

　　● Exceptional on-resistance and maximum DC current　　capability