台湾松木P沟道ME2325/ME2325-G MOSFET

半导体芯片 0 73
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一般说明

ME2325 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路。



应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● DC/DC 转换器

● 负载开关

● DSC

● LCD 显示逆变器

台湾松木N沟道ME2325/ME2325-G MOSFET规格书


特征

● RDS(ON)≦50mΩ@VGS=-10V

● RDS(ON)≦76mΩ@VGS=-4.5V

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和最大直流电流能力


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