免费电子论坛

ME15N10一般说明ME15N10是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。ME15N10产品应用●笔记本中的电源管理●DC / DC转换器●负荷开关●液晶显示逆变器M...

一般说明ME2325 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路。应用● 笔记本电源管理● 便携设备● 电池供电系统● DC/DC 转换器● 负载开关●...

ME2328/ME2328-G，N - 通道 105-V (D-S) MOSFETME2328-G一般说明ME2328 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。ME2328-G应用：笔记本中的电源管理DC/DC 转换器负载开关LCD显示逆变器ME2328-G特征RDS(ON)≦270mΩ@VGS=...

　　ME2333 / ME2333-G，P沟道20V（D-S）MOSFET　　ME2333一般说明：　　ME2333是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要采用非常小巧的表面贴装封装进行高端开关...

　　ME2345A / ME2345A-G，P沟道30V（D-S）MOSFET　　ME2345A一般说明　　ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行...

ME4435/ME4435-G，P沟道30V (D-S) MOSFET一般说明ME4435是P沟道逻辑增强型功率场，效应晶体管采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑、计算机电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗。应用● 笔记本电源管理● 便携...

APS00A；APS00A 仪器放大器用于 APS00B 系列高分辨率磁角位置传感器 IC、塑料、表面安装、SOIC-8、1000 单位/胶带和 178 mm [7 英寸] 卷轴APS00B；APS00B 高分辨率磁角位置传感器 IC、塑料、表面安装、SOIC-8、1000 单位/胶带和 178 mm [7 英寸] 卷轴...

SS49E：SS49E 霍尔效应线性传感器 IC、平式 TO-92 风格、平面 TO-92 风格、直式标准引线、1000 台/袋SS59ET：SS59ET 霍尔效应线性传感器 IC、SOT-89B、1000 台/口袋胶带和卷轴SS39ET：SS39ET 霍尔效应线性传感器 IC、SOT-23、袖珍胶带和卷轴，3000 个单位/卷轴...

SS495A-T3SS490 系列霍尔效应线性传感器 IC，3.00 分钟，3.125 类型，最大 3.25 mV/G 灵敏度，平托-92 风格，直标准引线，5000 单位/弹药盒磁带SS495A2SS490 系列霍尔效应线性传感器 IC，2.969 分钟，3.125 类型，3.281 最大 mV/G 灵敏度，平托-92 风格，直标准引线，1000 件/袋SS495A1-SPSS490...

SS40A-T3SS40A-T3 霍尔效应数字位置传感器 IC、双极、平托-92 式封装、直标准引线、5000 台/弹药盒磁带SS40ASS40A 霍尔效应数字位置传感器 IC、双极、平式 TO-92 式封装、直标引线、1000 台/袋SS50ATSS50AT 霍尔效应传感器 IC、SOT-89B、双极、1000 个单位/口袋胶带和卷轴SS30ATSS30AT 霍尔效应数字位置传感器...