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R5445 系列单节锂电池保护芯片，内置驱动器用于高位Nch FET开关且内置温度保护R5445系列芯片是单节锂电池保护芯片，对过电压充电，欠电压放电，充电过电流，放电过电流，以及温度异常均有保护作用。此芯片能驱动外置高位Nch MOSFET开关，此芯片对电压，电流的检测精度非常高，并且能够防止0V电池再充电。此外，本产品提供超低耗电的Standby Mode，当发现欠压放电，电压低于...

产品简述：R1202系列是基于CMOS的PWM升压DC/DC转换器，经过优化，可驱动恒流白色LED和PMOLED。有两种类型。A/B版本针对PMOLED的通用或驱动进行了优化，D版本针对恒流白色LED的串行驱动进行了优化。R1202包括欠压锁定电路（UVLO）、软启动电路和过压保护电路（OVP）、热关机电路。通过简单地使用电感器、分压电阻器和电容器作为外部元件，PMOLED和白光LED...

产品名称：Nisshinbo日清纺R1172H331B-FE  LDO稳压器产品系列：R1172H代理品牌：Nisshinbo日清纺微电子产品封装：SOT-89-5封装交期时间：现货一般当天交货，预订需电话详情.发货货仓：深圳、香港、上海热门标签：R1172H331B-FE资料，R1172H331B-FE原理产品简述：R1172x是一款基于cmos的正稳压IC，专门为汽车应用...

产品介绍：Nisshinbo日清纺R1260S是一款降压型DC/DC控制器，其输出电压为1.0 V ~ 16.0 V驱动外部高/低侧nmosfet。Nisshinbo日清纺R1260S通过采用独特的电流模式PWM架构在没有外部电流检测电阻的情况下，即使外部添加低Ron mosfet和低DCR电感，该装置也可以构成一个稳定的DC/DC变换器，具有较高的效率。产品特点：5v ~ 60v的大...

延申型号：R1518J001C-T1-FE，R1518J001C-T1-FE，R1524H050B-T1-AE，R1524S033B-E2-FE，R1524S033B-E2-FE，R1524S050B-E2-FE，R1524S085B-E2-FE，R5400N150FA-TR-FF，R5402N101KD-TR-FF，R5402N101KD-TR-FF，R5402N101KD-TR-F...

R1245x是一种基于cmos的降压DC/DC变换器，具有内部n通道高侧Tr。内置高侧晶体管的ON电阻为0.35，R1245x可以提供最大1.2 a输出电流。每个集成电路由振荡器、PWM控制电路、电压参考单元、误差放大器、相位补偿电路、斜率补偿电路、软启动电路、保护电路、内部稳压器和引导电路开关组成。集成电路可以由电感、电阻、二极管和电容组成降压DC/DC转换器。R1245x是一种无...

介绍NJG1152KA1是主要用于地面数字电视广播设备的带有旁通功能的宽带低噪声增幅器(LNA)。工作频率为40～900MHz ，并实现了高增益、低NF等特性。内置有ESD保护元件，有高ES 耐圧特性。本产品采用了无铅、无卤化物、符合RoHS 规格的FLP6-A1 封装。应用用于地面数字电视广播数字电视及机顶盒等消费应用电视调谐器/机顶盒增益Typ. 18.0dBNFTyp. 1.2d...

产品介绍：NT1189 是一款支持3.3GHz～5.0GHz频段的大功率低噪声放大器 (LNA)，适用于 5G(Sub-6GHz) 基站。 该产品具有高增益、低噪声系数和高OIP3的特点。 通过更改外部电路，可以支持 5G（Sub-6GHz）n77、n78 和 n79频段。 此外，还具有待机功能，有助于减少消耗电流。本产品采用是小型 DFN1616-6-GD 封装，可减少实装面积。产品...

产品介绍：NJM2737是单电源双路运算放大器，带轨至轨输入和输出，工作电压可低至1.8V。噪声特性的设计与传统低噪声运算放大器一样低，例如NJM5532和NJM4580。它适用于个人计算机音响、便携式音响以及其它低电压单电源的音响应用。产品选型：产品名称对应封装标注信赖性NJM2737D         DIP8--NJM2737MD...

ComparatorsNJM12903消费品用单电源双路比较器Operational AmplifiersNJM12904消费品用单电源双路运算放大器Operational AmplifiersNJM13404消费品用单电源双路运算放大器Operational AmplifiersNJM2115消费品用双路低饱和电压运算放大器Operational AmplifiersNJM2140消...