ME2328/ME2328-G，N - 通道 105-V (D-S) MOSFET
ME2328-G一般说明
ME2328 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。
ME2328-G应用：
笔记本中的电源管理
DC/DC 转换器
负载开关
LCD显示逆变器
ME2328-G特征
RDS(ON)≦270mΩ@VGS=10V
RDS(ON)≦340mΩ@VGS=4.5V
超高密度电池设计，可实现极低的 RDS(ON)
出色的导通电阻和最大直流电流能力
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