0V N 沟道 MOSFET
安森德ASDM30N55E特征
•100% EAS 保证
•绿色设备可用
•超低栅极电荷
•优异的CdV/dt效应衰减
•先进的高细胞密度沟槽技术
安森德ASDM30N55E应用
• 逆变器系统中的电源管理
安森德ASDM30N55E（替代）美国aos万代AON7544 DFN3 30V N沟道 MOS管
AON7544最新 Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) 技术
• 4.5VGS 时的极低 RDS(on)
• 低栅极电荷
• 高电流能力
• 符合 RoHS 和无卤素标准
• 计算、服务器和 POL 中的 DC/DC 转换器
• 电信和工业中的隔离式 DC/DC 转换器
AON7544特点
系列：AlphaMOS
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：23A（Ta），30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1128pF @ 15V
功率 - 最大值：4.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN-EP（3x3）
制造商零件编号：AON7538
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
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