英集芯IP2716集成 USB TYPE-C协议充电芯片

英集芯IP2716集成 USB TYPE-C协议充电芯片

  产品概述  IP2716 是一款集成 USB TYPE-C 输入输出协议、USB Power Delivery(PD2.0/PD3.0)输入输出协议、QC3.0/2.0 输出快充协议(兼容 DCP 识别功能,兼容BC1.2、苹果和三星手机)、MTK PE+1.1、FCP、SCP、等多功能的电源管理 SOC,为适配器、移动电源、车充提供完整的 TYPE-C 解决方案。    产品特性...
半导体芯片 96 0
英集芯IP2712集成 USB TYPE-C协议快充芯片

英集芯IP2712集成 USB TYPE-C协议快充芯片

  产品概述  IP2712 是一款集成 USB TYPE-C 输出协议、USB Power Delivery(PD2.0/PD3.0)输出协议、QC3.0/2.0 输出快充协议(兼容 DCP 识别功能,兼容 BC1.2、苹果和三星手机)、MTK PE+1.1、FCP、SCP 等多功能的电源管理 SOC,为适配器、车充等单向输出应用提供完整的 TYPE-C 解决方案。  产品特性  集...
半导体芯片 82 0
英集芯IP2705 USB端口快充协议IC

英集芯IP2705 USB端口快充协议IC

 产品简介IP2705 是一款集成 10 种、用于 USB 输出端口的快充协议 IC,支持 USB 端口充电控制。支持 10种 快 充 协 议 , 包 括 Type-C DFP , HVDCP QC3.0/QC2.0(Quick Charge)Class A 和 Class B,FCP(Hisilicon® Fast Charge Protocol),AFC( Samsung® Ada...
半导体芯片 53 0
英集芯IP5356快充协议芯片

英集芯IP5356快充协议芯片

 描述IP5356 是一款集成 QC2.0 / QC3.0/SCP 输出快充协议、FCP/AFC/SFCP 输入输出快充协议、MTK PE+ 1.1&2.0 输出快充协议、USB C/PD2.0/PD3.0 输入输出协议、USB CPD3.0 PPS 输出协议、兼容 BC1.2/苹果/三星手机、同步升/降压转换器、锂电池充电管理、电池电量指示等多功能的电源管理 SOC,为快充移...
半导体芯片 141 2
WAYON维安LP-MSM150-24自恢复保险丝

WAYON维安LP-MSM150-24自恢复保险丝

特征  小号1812  无铅且符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU快速跳闸可复位电路保护  用于自动化组装的表面贴装封装  机构认可:UL、TUV包装信息卷带式:每卷 1000 件。有效性:参考文件应是有效的问题招标日期。注意:超出额定电压或电流的操作可能会导致破裂电弧或火焰。零件号  推荐的回流焊方法:IR、气相和热风炉。可...
半导体芯片 64 0
维安WMQ55P02T1增强型功率MOSFET

维安WMQ55P02T1增强型功率MOSFET

描述WMQ55P02T1 采用先进的电源沟槽技术,该技术经过特别定制,可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。特征Vbs= -20V, Ip= -55ARos(on)< 8.2mQ @ Vcs= -4.5VRos(on)< 10mQ @ Vcs= -2.5V提供绿色设备低栅极电荷先进的高细胞密度沟槽技术100% EAS 保证应用大电流负载应用负载切换硬开关和高频电路不...
半导体芯片 68 0
维安WMR12N03T1 N沟道增强型功率MOSFET

维安WMR12N03T1 N沟道增强型功率MOSFET

描述WMR 12N03T1 采用先进的电源沟槽技术,该技术经过特别定制,可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。特征Vps =30V,lp=12A   Ros(on) < 9mΩ @ Vcs= 10V   Ros(on)< 12.5mΩ @ Vcs= 4.5V提供绿色设备高功率和电流处理能力应用电池保护能源管理负载开关...
半导体芯片 45 0
Wayon维安WM03P42M2 P通道增强MOSFET

Wayon维安WM03P42M2 P通道增强MOSFET

产品特征导通小信号 MOSFETVDS= -30V,ID = -4.2ARDS(on) < 60mΩ @ VGS = -10VRDS(on) < 75mΩ @ VGS = -4.5V沟槽低压 MOSFET 技术机械特性SOT-23-3L 封装标记:编写代码符合 RoHS 标准原理图和 PIN 配置...
半导体芯片 51 0
Wayon维安WM01P60M P沟道增强型MOSFET

Wayon维安WM01P60M P沟道增强型MOSFET

产品特征   Way-on 小信号 MOSFET   VDS= -12 V, ID = -6ARDS(on) < 28mΩ @ VGS = -4.5VRDS(on) < 40mΩ @ VGS = -2.5V   Trench LV MOSFET技术产品特性   SOT-23封装   标记:制作代码   符合 RoHS原理图和 PIN 配置...
半导体芯片 67 0
Wayon维安WMO40N06T1 功率MOSFET

Wayon维安WMO40N06T1 功率MOSFET

产品特征   Way-on 小信号 MOSFET   VDS= -12 V, ID = -6A   RDS(on) < 28mΩ @ VGS = -4.5V   RDS(on) < 40mΩ @ VGS = -2.5V   Trench LV MOSFET技术产品特性   SOT-23封装   标记:制作代码   符合 RoHS   原理图和 PIN 配置产品应用   电源...
半导体芯片 57 0