维安WMR12N03T1 N沟道增强型功率MOSFET

半导体芯片 0 45
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描述

WMR 12N03T1 采用先进的电源沟槽技术，该技术经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。


特征

Vps =30V，lp=12A

   Ros(on) < 9mΩ @ Vcs= 10V

   Ros(on)< 12.5mΩ @ Vcs= 4.5V

提供绿色设备

高功率和电流处理能力


应用

电池保护

能源管理

负载开关



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