Wayon维安WM01P60M P沟道增强型MOSFET

半导体芯片 0 67
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产品特征

   Way-on 小信号 MOSFET

   VDS= -12 V, ID = -6A

RDS(on) < 28mΩ @ VGS = -4.5V

RDS(on) < 40mΩ @ VGS = -2.5V

   Trench LV MOSFET技术

产品特性

   SOT-23封装

   标记：制作代码

   符合 RoHS

原理图和 PIN 配置


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