Wayon维安WM03P42M2 P通道增强MOSFET

半导体芯片 0 51
Image Description

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产品特征

导通小信号 MOSFET

VDS= -30V，ID = -4.2A

RDS(on) < 60mΩ @ VGS = -10V

RDS(on) < 75mΩ @ VGS = -4.5V

沟槽低压 MOSFET 技术

机械特性

SOT-23-3L 封装

标记：编写代码

符合 RoHS 标准

原理图和 PIN 配置
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