维安WMQ55P02T1增强型功率MOSFET

半导体芯片 0 68
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描述

WMQ55P02T1 采用先进的电源沟槽技术，该技术经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。


特征

Vbs= -20V, Ip= -55A

Ros(on)< 8.2mQ @ Vcs= -4.5V

Ros(on)< 10mQ @ Vcs= -2.5V

提供绿色设备

低栅极电荷

先进的高细胞密度沟槽技术

100% EAS 保证


应用

大电流负载应用

负载切换

硬开关和高频电路

不间断电源供应

类似芯片：WMQ55P02T1 ，WM02P160R ，WMR12P02T1


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