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一般说明MEE2348A-G是一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Force MOS专利的扩展沟槽栅极（ETG）技术。这项先进技术是专门为最小化导通电阻和栅极电荷，并增强雪崩能力而量身定制的。这些设备特别适用于中压应用，如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理和其他照明调光供电电路，以及非常小的外形表面安装封装中所需的低在线功耗。特征RDS（ON）≤130 mΩ@VGS=10VRDS（O...

　　72V 85V 90v 100V 150 120V高压DC-DC 大电流低静态功耗 恒压恒流　　　　产品详情：　　72V 85V 90v 100V 150 120V高压DC-DC 大电流低静态功耗 恒压恒流 CC CV，推荐一款高性能、高精度、低成本的降压型恒压控制器，可调输出电压 5-30V，适用于 15-180V 范围输入的非隔离式降压应用。　　芯片采用 PWM/PFM 多模式...

ME4411 / ME4411-G，松木MOS管P沟道30V（D-S）MOSFETME4411一般说明ME4411-G是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要采用非常小的外形表面安装封装来实现高...

松木mos管ME80N75T / ME80N75T-G，N沟道mos管 75V（D-S）MOSFETME80N75T-G一般说明：ME80N75T是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度该工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。ME80N75T-G特征：●RDS（开）≦10mΩ@ VGS = 10V●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（...

　　ME2345A说明：　　ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行开关和低串联电源损耗。　　ME2345A特征:　　●RDS（ON）≤68mΩ@...

松木ME15N10 / ME15N10-G N通道100V（D-S）MOSFETME15N10-G一般说明ME15N10-G是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。ME1...

松木ME20P06 / ME20P06-G，P沟道mos管 60V（D-S）MOSFETME20P06-G一般说明ME20P06是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，并且在非常小的外形表面安装封装中需要低的在...

ME2302 / ME2302-G，N沟道20V（D-S）MOSFETME2302-G一般说明ME2302是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。这种高密度工艺特别适合最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及低电压的串联电源损耗。 很小的表面贴装封装。ME2302-G特征●RDS（开）≦85...

N沟道耗尽型mos管金属-氧化物-半导体结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间构成n型导电沟道。n沟道加强型MOS管必需在栅极上施加正向偏压，且只要...

ME2306A / ME2306A-G，N沟道30V（D-S）MOSFETME2306A-G 一般说明ME2306A-G是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。ME2...