ME2302 / ME2302-G，N沟道20V（D-S）MOSFET
ME2302-G一般说明
ME2302是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。
这种高密度工艺特别适合最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及低电压的串联电源损耗。 很小的表面贴装封装。
ME2302-G特征
●RDS（开）≦85mΩ@VGS=4.5V
●RDS（开）≦115mΩ@VGS=2.5V
●RDS（开）≦130mΩ@VGS=1.8V
●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）
●出色的导通电阻和最大直流电流能力
ME2302-G应用领域
●笔记本电脑中的电源管理
●便携式设备
●负荷开关
●DSC
AO3414，20V-P沟道MOS管
AO3414概述:
AO3414使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷，并且可在低至1.8V的栅极电压下运行。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。
AO3414功能:
VDS = 20V
ID = 3A（VGS = 4.5V）
RDS（ON）<62mΩ（VGS = 4.5V）
RDS（ON）<70mΩ（VGS = 2.5V）
RDS（ON）<85mΩ（VGS = 1.8V）
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