一般说明
MEE2348A-G是一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Force MOS专利的扩展沟槽栅极（ETG）技术。这项先进技术是专门为最小化导通电阻和栅极电荷，并增强雪崩能力而量身定制的。
这些设备特别适用于中压应用，如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理和其他照明调光供电电路，以及非常小的外形表面安装封装中所需的低在线功耗。
特征
RDS（ON）≤130 mΩ@VGS=10V
RDS（ON）≤205 mΩ@VGS=5V
超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）
出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用
电源管理
同步整流
负载开关
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