松木ME15N10 / ME15N10-G N通道100V（D-S）MOSFET
ME15N10-G一般说明
ME15N10-G是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。
ME15N10-G特征
●RDS（ON）≦100mΩ@ VGS = 10V
●超高密度电池设计，可实现极低的R DS（ON）
●出色的导通电阻和 直流电流能力
ME15N10-G应用领域
●笔记本中的电源管理
●DC / DC转换器
●负荷开关
●液晶显示逆变器
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