ME4411 / ME4411-G，松木MOS管P沟道30V（D-S）MOSFET
ME4411一般说明
ME4411-G是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要采用非常小的外形表面安装封装来实现高端开关和低串联电源损耗。
ME4411特征
●RDS（开）≦10mΩ@ VGS = -10V
●RDS（ON）≦13mΩ@VGS=-4.5V
●超高密度电池设计，极低的RDS（ON）
●出色的导通电阻和最大直流电流能力
ME4411应用领域
●笔记本中的电源管理
●便携式设备
●电池供电系统
●DC / DC转换器
●负荷开关
●DSC
●液晶显示逆变器
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