松木mos管ME80N75T / ME80N75T-G，N沟道mos管 75V（D-S）MOSFET
ME80N75T-G一般说明：
ME80N75T是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度该工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。
ME80N75T-G特征：
●RDS（开）≦10mΩ@ VGS = 10V
●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）
●出色的导通电阻和 直流电流能力
ME80N75T-G应用领域：
●电源管理
●DC / DC转换器
●负荷开关
英文资料：
ME80N75T / ME80N75T-G，N- Channel 75-V (D-S) MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
The ME80N75T is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.
FEATURES
● RDS(ON)≦10mΩ@VGS=10V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
APPLICATIONS
● Power Management
● DC/DC Converter
● Load Switch
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