N沟道30V（D-S）MOSFET 松木MEME2306A-G替代AOS万代AO3400A解决方案

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ME2306A / ME2306A-G，N沟道30V（D-S）MOSFET




ME2306A-G 一般说明




ME2306A-G是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。






ME2306A-G特征




●RDS（开）≦32mΩ@ VGS = 10V




●RDS（开）≦38mΩ@VGS=4.5V




●RDS（ON）≦50mΩ@VGS=2.5V




●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）




●出色的导通电阻和 直流电流能力




ME2306A-G应用领域




●笔记本中的电源管理




●便携式设备




●电池供电系统




●DC / DC转换器




●负荷开关




●DSC




●液晶显示逆变器


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