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型号输出电压封装包装数量标记WR0332-10A30R1.0VSOT23-33K/ReelWR0332 10 (J)XXXXWR0332- 105A30R1.05VSOT23-33k/ReelWR0332 105 (J)XXXXWR0332-11A30R1.1VSOT23-33k/ReelWR0332 11 (J)XXXXWR0332-12A30R1.2VSOT23-33K/ReelW...

产品介绍：FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。产品特性...

　　产品描述：　　FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。...

产品介绍：FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。产品特性...

产品介绍：FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。产品特性...

产品介绍：FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。产品特性...

3.2. 外部时钟模式3.2.1. 振荡器起振定时器（OST）如果振荡器模块配置为 LP、XT 模式，振荡器起振定时器（OST）将对来自 OSC1 的振荡计数 1024次。这发生在上电复位（POR）之后以及上电延时定时器（PWRT）延时结束（如果被使能）时，或从休眠中唤醒后。在此期间，程序计数器不递增，程序执行暂停。OST 确保使用石英晶体谐振器或陶瓷谐振器的振荡器电路已经启动并向振荡...

　　ME20P06-G说明：　　ME20P06是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，并且在非常小的外形表面安装封装中需要低的在线功率损耗。　　ME20P06-G应用：　　●笔记本中的电源管理　　●DC /...

ME2301DN一般说明ME2301DN 是采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如手机和笔记本电脑、计算机电源管理和其他电池供电的电路，在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。ME2301DN应用● 笔记本电源管理● 便携设备● 电池供电系统● 负载开关...

ME2302一般说明：ME2302 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺是特别定制的，以最大限度地减少导通状态电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。ME2302 应用领域：（1）笔记本电脑中的电源管理（2）便携式设备（3）负荷开关（4）DS...