ME20P06-G说明：
ME20P06是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，并且在非常小的外形表面安装封装中需要低的在线功率损耗。
ME20P06-G应用：
●笔记本中的电源管理
●DC / DC转换器
●负荷开关
●液晶显示逆变器
ME20P06-G特征
●RDS（ON）≦78mΩ@ VGS = -10V
●RDS（ON）≦100mΩ@VGS=-4.5V
●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）
●出色的导通电阻和最大直流电流能力
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