台湾松木P沟道ME2301DN/G MOS管

半导体芯片 0 61
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ME2301DN一般说明

ME2301DN 是采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如手机和笔记本电脑、计算机电源管理和其他电池供电的电路，在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。


ME2301DN应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● 负载开关

● DSC

台湾松木P沟道ME2301DN/ME2301DN-G



ME2301DN特征

● RDS(ON) ≦90mΩ@VGS=-4.5V

● RDS(ON) ≦130mΩ@VGS=-2.5V

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低


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