台湾松木N沟道ME2302/ME2302-G MOSFET

2023-08-10 16:35:16 半导体芯片 0 72

ME2302一般说明：

ME2302 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。

这种高密度工艺是特别定制的，以最大限度地减少导通状态电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。

ME2302 应用领域：

（1）笔记本电脑中的电源管理

（2）便携式设备

（3）负荷开关

（4）DSC

台湾松木N沟道ME2302/ME2302-G 20V(D-S) MOSFET

ME2302 特征：

（1）RDS（开）≦85mΩ@VGS=4.5V

（2）RDS（开）≦115mΩ@VGS=2.5V

（3）RDS（开）≦130mΩ@VGS=1.8V

（4）超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）

（5）出色的导通电阻和最大直流电流能力

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