ME2302 简述：
ME2302 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺特别适合最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝 电话、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。
ME2302 特性:
● RDS(ON)≦85mΩ@VGS=4.5V
● RDS(ON)≦115mΩ@VGS=2.5V
● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=1.8V
● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低
● 出色的导通电阻和最大直流电流能力
ME2302 应用：
●笔记本电脑的电源管理
●便携式设备
●负荷开关
●差示扫描量热仪
AO3414简介：
AO3414 采用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 1.8V 的栅极电压操作。 该器件适合用作负载开关或 PWM 应用
AO3414 特性:
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：436pF @ 10V
功率 - 最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3
制造商零件编号：AO3414
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
VDS= 20V
ID= 3A (VGS= 4.5V)
RDS(ON)< 62mΩ (VGS= 4.5V)
RDS(ON)< 70mΩ (VGS= 2.5V)
RDS(ON)< 85mΩ (VGS= 1.8V)
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