NCE2060 (替代)ASDM20N60KQN沟道 MOSFET中低压N-MOS方案

mos管 0 19
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ASDM20N60KQ 一般特征

低栅极电荷

增强模式

快速切换

高功率和电流处理能力


ASDM20N60KQ 应用

DC-DC 初级桥

DC-DC同步整流

直流风扇


ASDM20N60KQ封装

TO-252  

脉冲宽度受安全操作区限制。

基于最大允许结温计算的连续电流。 电流受焊线限制。

受 TJmax 限制，IAS =20A，VDD = 15V，RG = 50Ω，起始 TJ = 25°C。

脉冲测试； 脉宽£300ms，占空比£2%。

由设计保证，不受生产测试的影响。


中低压Mosfet安森德ASDM20N60KQ被应用在锂电保护项目上，需要了解更多

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