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ME2307一般说明ME2307是P-Channel逻辑增强型电源场效应晶体管采用高单元密度，DMOS 沟槽生产技术。 这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路在非常小的外形中需要低在线功率损耗的地方表面贴装封装。ME2307特征● RDS(ON) ≦70mΩ@VGS=-10V● RDS(ON) ≦9...

P 沟道 30V (D-S) MOSFETME4411-G一般说明ME4411-G 是 P 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管是使用高单元密度 DMOS 生产的沟槽技术。 这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路需要高侧开关和低在线功率损耗的地方非常小的外形表面贴装封装。ME4411-G特征● RDS(...

ME2302 简述：ME2302 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺特别适合最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝 电话、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。ME2302 特性:● RDS(ON)≦85mΩ@VGS=4.5V● RDS(ON)≦115mΩ@VGS=...

ME2302 简述：ME2302 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺特别适合最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝 电话、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。ME2302 特性:● RDS(ON)≦85mΩ@VGS=4.5V● RDS(ON)≦115mΩ@VGS=...

ASDM20N60KQ 一般特征低栅极电荷增强模式快速切换高功率和电流处理能力ASDM20N60KQ 应用DC-DC 初级桥DC-DC同步整流直流风扇ASDM20N60KQ封装TO-252  脉冲宽度受安全操作区限制。基于最大允许结温计算的连续电流。 电流受焊线限制。受 TJmax 限制，IAS =20A，VDD = 15V，RG = 50Ω，起始 TJ = 25°...

ASDM4406S特征●高效率●低密度单元设计●先进的沟槽工艺技术●改进的dv/dt能力●可靠坚固ASDM4406S应用●网络、负载切换●LED照明ASDM4406S数量一盘数量为4000支ASDM4406S封装SOP-8Tj=25℃时的绝对最大额定值（除非另有说明）...

ASDM4406S特征●高效率●低密度单元设计●先进的沟槽工艺技术●改进的dv/dt能力●可靠坚固ASDM4406S应用●网络、负载切换●LED照明ASDM4406S数量一盘数量为4000支ASDM4406S封装SOP-8Tj=25℃时的绝对最大额定值（除非另有说明）ASDM4406S（代替）美国万代AO4406，30V N 沟道 MOSFET代理商AO4406A 简述：AO4406A...

NCE30P15SP 沟道 30V (D-S) MOSFETME4411-G一般说明ME4411-G 是 P 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管是使用高单元密度 DMOS 生产的沟槽技术。 这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路需要高侧开关和低在线功率损耗的地方非常小的外形表面贴装封装。ME4411-...

P 沟道 30V (D-S) MOSFETME4411-G一般说明ME4411-G 是 P 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管是使用高单元密度 DMOS 生产的沟槽技术。 这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路需要高侧开关和低在线功率损耗的地方非常小的外形表面贴装封装。ME4411-G特征● RDS(...

ME4435一般说明ME4435 是采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路。ME4435特征● RDS(ON)≦20mΩ@VGS=-10V● RDS(O...