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ME2306A / ME2306A-G，N沟道30V（D-S）MOSFETME2306A-G 一般说明ME2306A-G是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。ME2...

松木ME2333-G代替AOS万代AO3415A 20V P沟道MOS管 aos一级代理商AO3415A一般说明AO3415A使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷，并且可在低至1.8V的栅极电压下运行。 该设备适合用作负载开关应用。AO3415A产品概要  VDS -20V  ID（在VGS = -4.5V时）-5A  RDS（ON）...

全新正品松木ME80N75T替代aos万代AOT270AL ，75V N沟道MOSFETAOT270AL一般说明AOT270AL / AOB270AL使用Trench MOSFET技术，该技术经过了独特的优化，可提供最有效的高频开关性能。 传导和由于RDS（ON），Ciss和Coss的极低组合，开关功率损耗得以最小化。 该器件非常适合升压转换器和同步消费，电信，工业电源和LED背光的整...

【TOREX(特瑞仕)XBP1010-G产品参数】TOREX(特瑞仕)XBP1010-G产品参数TOREX(特瑞仕)XBP1010-G产品参数XBP1010-G 特征终端电容：35pFESD保护：8kV触点（IEC61000-4-2）环保：符合欧盟RoHS，无铅XBP1010-G应用领域●ESD保护XBP1010-G包装信息●SOD-923单位：英寸（毫米）君耀LAD92C5.0L01...

东芝DF2B6.8AFS参数：制造商零件编号：DF2B6.8AFS,L3M制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：TVS DIODE 5VWM 7VC FSC系列：-类型：转向装置（轨至轨）单向通道：-双向通道：1电压 - 反向关态（典型值）：5V（最小值）电压 - 击穿（最小值）：5.8V电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：7V（标准）电流 -...

ESD保护二极管PJSD05MLTM旨在保护电压敏感组件免受ESD影响。出色的钳位能力，低泄漏和快速响应时间为设计提供了一流的保护暴露于ESD的环境中。PJSD05MLTM特征：•低泄漏•IEC61000-4-2 4级ESD保护•IEC61000-4-4 4级EFT保护80A（tp = 5 / 50ns）•无铅，符合EU RoHS 2011/65 / EU指令•绿色模塑化合物，符合IE...

SD12-7特征350瓦峰值脉冲功率（tp =8x20μs）IEC 61000-4-2（ESD）：空气– 30kV，触点– 30kVIEC 61000-4-2（ESD），HBM – 16kVIEC 61000-4-4，40AIEC 61000-4-5（闪电），15A通常用于计算机接口保护，数据线和电力线保护完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）不含卤素和锑。 “绿色”设备（注3）S...

低噪声放大器应用。高压应用。kta1268-gr-at/P特征：·低噪声。: NF=3dB(Typ.), Rg=100Ω, VCE=-6V, IC=-100μA, f=1kHz: NF=0.5dB(Typ.), Rg=1kΩ, VCE=-6V, IC=-100μA, f=1kHz。·高直流电流增益：hFE=200∼700。·高电压：VCEO=-120V。·低脉冲噪声。 低 1/f 噪声...

mos管N 沟道 100V (D-S) 松木ME15N10替代AOS万代AOD4286 N沟道MOS管ME15N10一般说明：ME15N10是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线...

       今年泰德兰电子网编就转发一条关于AOS 万代官方发布的一款产品型号：AOZ527xQI，下面我们就一起来了解下。　　日前，集设计、研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体、芯片及数字电源产品供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，纳斯达克代码：AOSL）推出了搭配多相直流转换器（VR...