P 沟道 30V (D-S) MOSFET
ME4411-G一般说明
ME4411-G 是 P 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管是使用高单元密度 DMOS 生产的沟槽技术。 这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路需要高侧开关和低在线功率损耗的地方非常小的外形表面贴装封装。
ME4411-G特征
● RDS(ON)≦10mΩ@VGS=-10V
● RDS(ON)≦13mΩ@VGS=-4.5V
● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低
● 出色的导通电阻和最大直流电流能力
ME4411-G应用
● 笔记本电源管理
● 便携设备
● 电池供电系统
● DC/DC 转换器
● 负载开关
● DSC
● LCD 显示逆变器
松木ME4411-G，P沟道30V (D-S) MOSFET（代替）长电CJQ4407S mos管
AOSP21357 30V P 沟道 MOSFET
AOSP21357介绍：
• 最新先进的沟槽技术
• 低RDS(ON)
• 高电流能力
• 符合 RoHS 和无卤素标准
AOSP21357应用：
• 笔记本交流输入负载开关
• 电池保护充电/放电
AOSP21357概要：
电压 -30V
ID（在 VGS=-10V 时）-16A
RDS(ON) (VGS=-10V) < 8.5mΩ
RDS(ON) (VGS=-4.5V) < 13mΩ
100% UIS 测试
100% Rg 测试
留言0