2023年8月第20页_免费电子论坛

冠禹KS3207MAT单N沟道高级功率MOSFET

产品特征·30V / 85A，RDS (ON) =2.8mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent Qg xRDs(on) product(FOM)·SGT技术·快速开关速度·100％雪崩测试应用程序·交换应用系统...

2023-08-02 16:34:53 半导体芯片 55 0

产品特征30V / 95A，RDS (ON) =2.8mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent QG xRDs(on) product(FOM)SGT技术100％雪崩测试应用程序·交换应用系统...

2023-08-02 16:34:15 半导体芯片 34 0

特征30V/88A,RDS (ON) =3.2mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.8mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent QG x RDS(on) product(FOM)SGT科技100% 雪崩测试应用电源开关应用...

2023-08-02 16:32:29 半导体芯片 45 0

产品特征30V / 70A，RDS (ON) =3.2mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.8mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent QG x RDS(on) product(FOM)SGT技术100％雪崩测试应用程序交换应用系统...

2023-08-02 16:31:48 半导体芯片 38 0

产品特征30V/60A, RDS (ON) =4.5mΩ(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent QG x RDS(on) product(FOM)SGT Technology100% 雪崩测试产品应用切换应用系统...

2023-08-02 16:31:20 半导体芯片 56 0