冠禹KS3207MAT单N沟道高级功率MOSFET

半导体芯片 0 56
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产品特征

·30V / 85A，

RDS (ON) =2.8mΩ(Typ.)@VGS=10V

RDS (ON) =4mΩ(Typ.)@VGS=4.5V

Excellent Qg xRDs(on) product(FOM)

·SGT技术

·快速开关速度

·100％雪崩测试


应用程序

·交换应用系统

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