冠禹KS3212DAT单N沟道高级功率MOSFET

半导体芯片 0 46
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特征

30V/88A,

RDS (ON) =3.2mΩ(Typ.)@VGS=10V

RDS (ON) =4.8mΩ(Typ.)@VGS=4.5V

Excellent QG x RDS(on) product(FOM)

SGT科技

100% 雪崩测试


应用

电源开关应用

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