霍尼韦尔AWM3000系列气流传感器 产品详情 注意:产品损伤 AWM 系列微桥式气体质量流量传感器不适用于测量液体流量,液体流过传感器时会损坏传感器。 不遵守这些说明可能会导致产品受损。 产品特点 注意:不遵守这些说明可能会导致产品受损。浏览AWM3000系列传感器系列产品型号信号调节补偿温度范围流量/压力范围质兼容性AWM3303V放大-25°C 至 85°C [-13°F 至 185°F]±100... 2023-08-03 16:26:37 传感器 72 0
霍尼韦尔AWM5000系列气流传感器 产品详情 AWM5000系列传感器_霍尼韦尔传感器_气流传感器, 放大, 流量/压力范围:0 SLPM 至 5.0 SLPM; 螺纹端口式, ¼ NPT。 同轴流量测量 AWM5000系列传感器_霍尼韦尔传感器_气流传感器采用文丘里管型流量外壳。该系列测量每分钟高达 20 标准公升/每分钟 (SLPM) 的气流,同时产生 2.25" H2O 的最大压降。2微桥芯片直接与... 2023-08-03 16:25:01 传感器 48 0
霍尼韦尔AWM40000系列气流传感器 产品详情 霍尼韦尔传感器_气流传感器_AWM系列传感器_AWM40000系列传感器的工作原理是热传递。气体质量流量经引导流过传感元件的表面。输出电压与流过封装进出口的空气或其他气体质量成正比。特殊设计的外壳精确地引导和控制气流流过微结构传感元件。封装的机械设计能够轻松将其安装在印刷电路板上。 霍尼韦尔传感器_气流传感器_AWM系列传感器_AWM40000系列传感器内含一... 2023-08-03 16:22:20 传感器 59 0
霍尼韦尔AWM90000系列气流传感器 产品详情 AWM90000系列_AWM系列传感器,气流质量流量传感器霍尼韦尔传感器采用久经时间验证的热桥技术。采用久经时间验证的热桥技术。AWM90000系列传感器不仅能够提供 AWM1000系列传感器的许多优良性能,而且传感器采用的平台更加经济实惠。有质量流量和差压两种版本可供选择。AWM92100V 的流量范围是 +/- 200 sccm,而 AWM92200V 是... 2023-08-03 16:17:30 传感器 43 0
冠禹KS4628HA互补型高级功率MOSFET 产品特征N沟道40V/6.6A,RDS (ON) =25mΩ(Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =32mΩ(Typ.) @ VGS=4.5VP沟道-40V/-6.6A,RDS (ON) =28mΩ (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =40mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V非常低的导通电阻快速切换产品应用负载开关... 2023-08-02 16:42:24 半导体芯片 42 0
冠禹KS4640HA互补型高级功率MOSFET 产品特征N通道40V/6A,RDS (ON) =25mΩ(Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =32mΩ(Typ.) @ VGS=4.5VP通道-40V/-4.6A,RDS (ON) =60mΩ (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =85mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V非常低的导通电阻快速切换产品应用负载开关... 2023-08-02 16:41:47 半导体芯片 42 0
冠禹KS6638HA互补型高级功率 MOSFET 产品特征N通道60V/4A,RDS (ON) =60mΩ(Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =70mΩ(Typ.) @ VGS=4.5VP通道-60V/-4A,RDS (ON) =50mΩ (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =65mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V超高密度电池设计快速切换 产品应用负载开关... 2023-08-02 16:39:25 半导体芯片 43 0
冠禹KS3205NAT单N沟道高级功率MOSFET 特征30V/130A,RDS (ON) =1.6mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =2mΩ(Typ.)@VGS=4.5V Excellent QG x RDS(on) product(FOM)SGT科技100% 雪崩测试应用交换应用系统... 2023-08-02 16:38:15 半导体芯片 75 0
冠禹KS3206NAT单N沟道高级功率MOSFET 产品特征 30V/110A, RDS (ON) =1.8mΩ(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =2.6mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent QG x RDS(on) product(FOM)SGT科技100% 雪崩测试切换应用系统产品应用切换应用系统... 2023-08-02 16:36:27 半导体芯片 57 0
冠禹KS3207DAT单N沟道高级功率MOSFET 产品特征·30V / 120A, RDS (ON) =2.8mΩ(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4mΩ(Typ.)@VGS=4.5V·Excellent QG x RDS(on) product(FOM)·SGT技术·100%雪崩测试应用程序·电源切换应用程序动作... 2023-08-02 16:35:51 半导体芯片 40 0