冠禹KS3207DAT单N沟道高级功率MOSFET

半导体芯片 0 40
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产品特征

·30V / 120A，

 RDS (ON) =2.8mΩ(Typ.)@VGS=10V

 RDS (ON) =4mΩ(Typ.)@VGS=4.5V

·Excellent QG x RDS(on) product(FOM)

·SGT技术

·100％雪崩测试


应用程序

·电源切换应用程序动作

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