冠禹KS3205NAT单N沟道高级功率MOSFET

半导体芯片 0 75
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特征

30V/130A，

RDS (ON) =1.6mΩ(Typ.)@VGS=10V
RDS (ON) =2mΩ(Typ.)@VGS=4.5V 
Excellent QG x RDS(on) product(FOM)

SGT科技

100% 雪崩测试


应用

交换应用系统

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