上海贝岭BLP08N10G-Q增强型功率MOSFET
产品描述BLP08N10G是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。 这是适用于同步整流和高速开关应用的器件。优势特点快速切换低导通电阻低栅极电荷低反向传输电容高雪崩坚固性RoHS 产品产品应用同步整流高速开关应用...
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上海贝岭BLP12N10G-U增强型功率MOSFET
产品描述BLP12N10G是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术获得，可降低导通损耗，提高开关性能。 这是适用于同步整流器和高速开关应用的器件。产品特征 快速切换 低导通电阻（RDS(on)≤12mΩ） 低栅极电荷 低反向传输电容 高雪崩耐用性 RoHS 产品产品应用 切换应用 同步整流器...
Belling贝岭BL7141WH高速四通道数字隔离器
1、产品概述BL714x 是高性能的四通道数字隔离器，可实现输入/输出之间完全的电气隔离。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅(SiO2) 绝缘栅相隔离，四个数据通道完全独立，可将输入数据进行编码并在接收端无失真恢复。BL7140 器件具有四条全部同向的通道，输出侧具有输出使能；BL7141 器件具有三条正向通道和一条反向通道，两侧均具有输出使能；高耐压，面向电机、隔离...
上海贝岭BLG40T65FUK-F绝缘栅双极晶体管
DescriptionBLG40T65FUK is obtained by advanced Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low VCE(sat) , optimized switching performance and low gate charge Qg. The IGBT is...
贝岭BLG20T65FULA-P高压, IGBT绝缘栅双极晶体管
introduceBLG20T65FULA is obtained by advanced Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low VCE(sat) , optimized switching performance and low gate charge Qg. The IGBT is...
贝岭BLG20T65FULA-F高压, IGBT绝缘栅双极晶体管
introduceBLG20T65FULA is obtained by advanced Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low VCE(sat) , optimized switching performance and low gate charge Qg. The IGBT is...
日清纺RP110L301D-TR低压电流150mA LDO稳压器
RP110系列是基于CMOS的LDO稳压器，具有150毫安输出。RP110的典型超低电源电流为1µA，非常适合在开启睡眠模式的电源系统中使用。还提供了通过消除CE引脚将电源电流降至最低水平的版本。输入电压（VIN）低至最低1.4V，输出电压可从0.8V设置。RP110具有恒定斜率电路。它意味着软启动功能，以减少通电时的涌入电流。除了SOT-23-5、SC-88A和DFN1010-4封装...
日清纺RP509Z001D-E2-F PWM/VFM降压DC/DC转换器
RP509是一款低电源电流PWM/VFM降压DCDC转换器，带有同步整流器，输出电流为0.5A/1A。输出电压控制方法可以在强制PWM控制类型和PWM/VFM自动切换控制类型之间选择，并且可以通过MODE引脚进行设置。在内部，单个转换器由参考电压单元、误差放大器、开关控制电路、模式控制电路、软启动电路、欠压锁定（UVLO）电路、热关断电路和开关晶体管组成。此外，RP509是电流限制电路...
霍尼韦尔SM656LT-F3磁阻传感器芯片
产品介绍：霍尼韦尔公司的微功率系列磁阻(MR)传感器IC是一种超灵敏器件，适用于大气隙、小磁场和低功耗要求的广泛应用。SM656LT-F3是FBP-06L2.0*2.0mm小封装设计，包括低功耗条件下Vcc速率1.8-5.5V，平均功耗为1kHz采样率，稳定温度性能。传感器IC响应于平行于传感器方向的北极或南极。它们不需要确定磁体极性，简化了安装并潜在地降低了系统成本。关键特征：• 高...