上海贝岭BLP08N10G-Q增强型功率MOSFET

半导体芯片 0 55
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产品描述

BLP08N10G是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。 这是适用于同步整流和高速开关应用的器件。


优势特点

快速切换

低导通电阻

低栅极电荷

低反向传输电容

高雪崩坚固性

RoHS 产品


产品应用

同步整流

高速开关应用
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