上海贝岭BLP12N10G-U增强型功率MOSFET

半导体芯片 0 46
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产品描述

BLP12N10G是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术获得，可降低导通损耗，提高开关性能。 这是适用于同步整流器和高速开关应用的器件。


产品特征

    快速切换

    低导通电阻（RDS(on)≤12mΩ）

    低栅极电荷

    低反向传输电容

    高雪崩耐用性

    RoHS 产品


产品应用

    切换应用

    同步整流器
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