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　　ME2345A / ME2345A-G，P沟道30V（D-S）MOSFET　　ME2345A一般说明　　ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行...

ME4435/ME4435-G，P沟道30V (D-S) MOSFET一般说明ME4435是P沟道逻辑增强型功率场，效应晶体管采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑、计算机电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗。应用● 笔记本电源管理● 便携...

产品特征N沟道40V/6.6A,RDS (ON) =25mΩ(Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =32mΩ(Typ.) @ VGS=4.5VP沟道-40V/-6.6A,RDS (ON) =28mΩ (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =40mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V非常低的导通电阻快速切换产品应用负载开关...

产品特征N通道40V/6A,RDS (ON) =25mΩ(Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =32mΩ(Typ.) @ VGS=4.5VP通道-40V/-4.6A,RDS (ON) =60mΩ (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =85mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V非常低的导通电阻快速切换产品应用负载开关...

产品特征N通道60V/4A,RDS (ON) =60mΩ(Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =70mΩ(Typ.) @ VGS=4.5VP通道-60V/-4A,RDS (ON) =50mΩ (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =65mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V超高密度电池设计快速切换 产品应用负载开关...

特征30V/130A，RDS (ON) =1.6mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =2mΩ(Typ.)@VGS=4.5V Excellent QG x RDS(on) product(FOM)SGT科技100% 雪崩测试应用交换应用系统...

产品特征 30V/110A, RDS (ON) =1.8mΩ(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =2.6mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent QG x RDS(on) product(FOM)SGT科技100% 雪崩测试切换应用系统产品应用切换应用系统...

产品特征·30V / 120A， RDS (ON) =2.8mΩ(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4mΩ(Typ.)@VGS=4.5V·Excellent QG x RDS(on) product(FOM)·SGT技术·100％雪崩测试应用程序·电源切换应用程序动作...

产品特征·30V / 85A，RDS (ON) =2.8mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent Qg xRDs(on) product(FOM)·SGT技术·快速开关速度·100％雪崩测试应用程序·交换应用系统...

产品特征30V / 95A，RDS (ON) =2.8mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent QG xRDs(on) product(FOM)SGT技术100％雪崩测试应用程序·交换应用系统...