辉芒微FT60F011A-RB-IO型单片机
产品介绍：FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。产品特性...
热门文章
辉芒微FT60F021-DRB-IO型单片机
产品介绍：FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。产品特性...
辉芒微 FT60F021-RB-IO型单片机
产品介绍：FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。产品特性...
辉芒微FMD-FT60F024-RB-八位单片机
3.2. 外部时钟模式3.2.1. 振荡器起振定时器（OST）如果振荡器模块配置为 LP、XT 模式，振荡器起振定时器（OST）将对来自 OSC1 的振荡计数 1024次。这发生在上电复位（POR）之后以及上电延时定时器（PWRT）延时结束（如果被使能）时，或从休眠中唤醒后。在此期间，程序计数器不递增，程序执行暂停。OST 确保使用石英晶体谐振器或陶瓷谐振器的振荡器电路已经启动并向振荡...
台湾松木P沟道ME20P06-G_60V(D-S)MOSFET
ME20P06-G说明： ME20P06是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，并且在非常小的外形表面安装封装中需要低的在线功率损耗。 ME20P06-G应用： ●笔记本中的电源管理 ●DC /...
台湾松木P沟道ME2301DN/G MOS管
ME2301DN一般说明ME2301DN 是采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如手机和笔记本电脑、计算机电源管理和其他电池供电的电路，在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。ME2301DN应用● 笔记本电源管理● 便携设备● 电池供电系统● 负载开关...
台湾松木N沟道ME2302/ME2302-G MOSFET
ME2302一般说明：ME2302 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺是特别定制的，以最大限度地减少导通状态电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。ME2302 应用领域：（1）笔记本电脑中的电源管理（2）便携式设备（3）负荷开关（4）DS...
松木P沟道MOS管ME2306A / ME2306A-G
ME2306A-G一般说明 ME2306A-G是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。 ME2306A-G应用领域 ●笔记本中的电源管理 ●便携式设备 ...
台湾松木N沟道ME2306D/G 低压mos管
ME2306D一般说明ME2306D 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要高侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路，这些电路采用非常小的外形表面贴装封装。ME2306D应用● 笔记本电源管理● 便携设备● 负载开关GEN...
台湾松木P沟道ME2307/ME2307-G mos管
ME2307一般说明： ME2307是P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。 这种高密度工艺特别适合于最小化通态电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如：作为手机和笔记本计算机的电源管理以及其他电池供电的电路，在非常小巧的表面贴装封装中，需要较低的在线功率损耗。 ME2307应用领域： ●笔记本中的电源管理 ●便携式设备 ●电池供电系统 ●...