英集芯IP5356快充协议芯片
描述IP5356 是一款集成 QC2.0 / QC3.0/SCP 输出快充协议、FCP/AFC/SFCP 输入输出快充协议、MTK PE+ 1.1&2.0 输出快充协议、USB C/PD2.0/PD3.0 输入输出协议、USB CPD3.0 PPS 输出协议、兼容 BC1.2/苹果/三星手机、同步升/降压转换器、锂电池充电管理、电池电量指示等多功能的电源管理 SOC，为快充移...
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WAYON维安LP-MSM150-24自恢复保险丝
特征 小号1812 无铅且符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU快速跳闸可复位电路保护 用于自动化组装的表面贴装封装 机构认可：UL、TUV包装信息卷带式：每卷 1000 件。有效性：参考文件应是有效的问题招标日期。注意：超出额定电压或电流的操作可能会导致破裂电弧或火焰。零件号 推荐的回流焊方法：IR、气相和热风炉。可...
维安WMQ55P02T1增强型功率MOSFET
描述WMQ55P02T1 采用先进的电源沟槽技术，该技术经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。特征Vbs= -20V, Ip= -55ARos(on)< 8.2mQ @ Vcs= -4.5VRos(on)< 10mQ @ Vcs= -2.5V提供绿色设备低栅极电荷先进的高细胞密度沟槽技术100% EAS 保证应用大电流负载应用负载切换硬开关和高频电路不...
维安WMR12N03T1 N沟道增强型功率MOSFET
描述WMR 12N03T1 采用先进的电源沟槽技术，该技术经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。特征Vps =30V，lp=12A Ros(on) < 9mΩ @ Vcs= 10V Ros(on)< 12.5mΩ @ Vcs= 4.5V提供绿色设备高功率和电流处理能力应用电池保护能源管理负载开关...
Wayon维安WM03P42M2 P通道增强MOSFET
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Wayon维安WM01P60M P沟道增强型MOSFET
产品特征 Way-on 小信号 MOSFET VDS= -12 V, ID = -6ARDS(on) < 28mΩ @ VGS = -4.5VRDS(on) < 40mΩ @ VGS = -2.5V Trench LV MOSFET技术产品特性 SOT-23封装 标记：制作代码 符合 RoHS原理图和 PIN 配置...
Wayon维安WMO40N06T1 功率MOSFET
产品特征 Way-on 小信号 MOSFET VDS= -12 V, ID = -6A RDS(on) < 28mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 40mΩ @ VGS = -2.5V Trench LV MOSFET技术产品特性 SOT-23封装 标记：制作代码 符合 RoHS 原理图和 PIN 配置产品应用 电源...
Wayon维安WR0332-25A30R高速CMOS LDO
型号输出电压封装包装数量标记WR0332-10A30R1.0VSOT23-33K/ReelWR0332 10 (J)XXXXWR0332- 105A30R1.05VSOT23-33k/ReelWR0332 105 (J)XXXXWR0332-11A30R1.1VSOT23-33k/ReelWR0332 11 (J)XXXXWR0332-12A30R1.2VSOT23-33K/ReelW...
辉芒微FT60F010A-URT-IO型单片机
产品介绍：FT60F01X为辉芒微电子基本I/O型系列单片机，提供1K*14b Flash、256*8b 数据EERPOM和64*8b SRAM，支持2.0V至5.5V工作电压。该款单片机最多提供6个通用IO，内部集成了两个8位的定时/计数器；内置高速和低速RC振荡器，最高频率支持16MHz；提供SOT23-6和SOP8两种封装，适用于功能简单，对成本要求极高的消费类电子产品。产品特性...
辉芒微FT60F011A-DRB-IO型单片机
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