全新现货RTX 4090显卡芯片AD102-300-A1 英伟达BGA芯片 大家好!最近很多客户在找全新现货RTX 4090显卡芯片AD102-300-A1 英伟达BGA芯片,由于AD102-300-A1限制出口,导致市场缺货严重,很多买家找不到货源,导致生产无法正常运行,目前深圳市泰德兰电子有限公司通过特殊渠道拿到了4090显卡芯片AD102-300-A1小部分现货,陆陆续续大概有2万个,货源来之不易,全新正品,价格相对早期贵了很多,但是泰德兰电子依旧为大家... 2024-07-22 17:06:42 半导体芯片 42 0
60V降压电源IC 60V转24V 12V 5V大电流 1A-3A 恒压模式:48V 60V降压5V 1A-2A 12V 500MA 大电流 高压DC-DC应用方案 ESOP8封装48V 60V转12V 1A-1.5A 5V 2A-2.5A 降压方案 封装TO252-5恒流模式:36V 48V 60V不同输入电压 驱动多串 3串 6串 9串 12串 16串 LED驱动方案 功率高达30W36V 48V 60V 不同输... 2024-06-28 17:46:41 电源管理芯片 31 0
72V 85V 90v 100V 150 120V高压DC-DC 大电流低静态功耗 恒压恒流 72V 85V 90v 100V 150 120V高压DC-DC 大电流低静态功耗 恒压恒流 产品详情: 72V 85V 90v 100V 150 120V高压DC-DC 大电流低静态功耗 恒压恒流 CC CV,推荐一款高性能、高精度、低成本的降压型恒压控制器,可调输出电压 5-30V,适用于 15-180V 范围输入的非隔离式降压应用。 芯片采用 PWM/PFM 多模式... 2024-06-28 17:46:02 mos管 51 0
全新原厂正品 ME4411 / ME4411-G,松木MOS管 P沟道MOS管 30V(D-S)M ME4411 / ME4411-G,松木MOS管P沟道30V(D-S)MOSFETME4411一般说明ME4411-G是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计,可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合低压应用,例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路,在这些应用中,需要采用非常小的外形表面安装封装来实现高... 2024-06-28 17:43:10 mos管 45 0
松木mos管 ME80N75T-G,N沟道mos管 75V(D-S)MOSFET 松木mos管ME80N75T / ME80N75T-G,N沟道mos管 75V(D-S)MOSFETME80N75T-G一般说明:ME80N75T是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度该工艺经过特别设计,可 程度地降低导通电阻。ME80N75T-G特征:●RDS(开)≦10mΩ@ VGS = 10V●超高密度电池设计,可实现极低的RDS(... 2024-06-28 17:38:46 mos管 42 0
松木ME2345A替代aos万代AO3401A规格书选型对比 ME2345A说明: ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计,可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用,例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路,在这些应用中,需要在非常小的外形表面安装封装中进行开关和低串联电源损耗。 ME2345A特征: ●RDS(ON)≤68mΩ@... 2024-06-28 17:33:10 mos管 48 0
松木mos管 松木ME15N10-G兼容AOD4286,N沟道mos管 100V 松木ME15N10 / ME15N10-G N通道100V(D-S)MOSFETME15N10-G一般说明ME15N10-G是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计,可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用,例如蜂窝电话,笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路,以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。ME1... 2024-06-28 17:27:31 mos管 26 0
P沟道mos管 60V 松木ME20P06-G替代AOS万代AOD409G解决方案中文资料对 松木ME20P06 / ME20P06-G,P沟道mos管 60V(D-S)MOSFETME20P06-G一般说明ME20P06是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计,可 程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合于低电压应用,例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路,并且在非常小的外形表面安装封装中需要低的在... 2024-06-28 17:25:39 mos管 55 0
N沟道20Vmos管 松木ME2302(G)替代AOS万代AO3414中文参数对比 ME2302 / ME2302-G,N沟道20V(D-S)MOSFETME2302-G一般说明ME2302是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。这种高密度工艺特别适合最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用,例如蜂窝电话,笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路,以及低电压的串联电源损耗。 很小的表面贴装封装。ME2302-G特征●RDS(开)≦85... 2024-06-28 17:09:31 mos管 47 0
n沟道mos管-耗尽型和增强型mos管工作原理-mos管代理商 N沟道耗尽型mos管金属-氧化物-半导体结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时在两个高浓度n扩散区间构成n型导电沟道。n沟道加强型MOS管必需在栅极上施加正向偏压,且只要... 2024-06-28 16:51:13 mos管 22 0