松木P沟道 30V (D-S) MOS管ME4435/ME4435-G(替代)CJQ4435方案

松木P沟道 30V (D-S) MOS管ME4435/ME4435-G(替代)CJQ4435方案

P 沟道 30V (D-S) MOSFETME4435一般说明ME4435 是采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路。ME4435特征● RDS(ON)...
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冠禹KS3205NAT单N沟道高级功率MOSFET-泰德兰电子

冠禹KS3205NAT单N沟道高级功率MOSFET-泰德兰电子

产品名称：冠禹KS3205NAT单N沟道高级功率MOSFET 产品型号：KS3205NAT 代理品牌：kwansemi冠禹 产品封装：PDFN5060封装 交期时间：现货一般当天交货，预定需电话详情. 发货货仓：深圳/香港热门标签：KS3205NAT参数，KS3205NAT规格书，KS3205NAT中文资料咨询热线：131-8971 4...
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冠禹KS6214DAT单N沟道高级功率 MOSFET-代理商：泰德兰电子

冠禹KS6214DAT单N沟道高级功率 MOSFET-代理商：泰德兰电子

产品名称：冠禹KS6214DAT单N沟道高级功率 MOSFET 产品型号：KS6214DAT 代理品牌：kwansemi冠禹 产品封装：TO-252封装 交期时间：现货一般当天交货，预定需电话详情. 发货货仓：深圳/香港产品特征60V/50A,RDS (ON) =9mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =13mΩ(Typ.)...
mos管 15 0
N 沟道 MOS管松木ME50N06A-G（代替）新洁能NCE6030K/NCE6020AK方案

N 沟道 MOS管松木ME50N06A-G（代替）新洁能NCE6030K/NCE6020AK方案

ME50N06A一般说明ME50N06A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于需要低在线功率损耗的低压应用，例如 LCD 逆变器、计算机电源管理和 DC 到 DC 转换器电路。ME50N06A特征● RDS(ON)≦22mΩ@VGS=10V● 超高密度电池设计，RDS(ON...
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松木ME60N03（替代）CJU4410 TO-252-2L 塑封 MOSFET方案

松木ME60N03（替代）CJU4410 TO-252-2L 塑封 MOSFET方案

松木ME60N03简述：松木ME60N03先进的沟槽工艺技术 用于超低导通电阻的高密度单元设计 专为 PWM 应用的高端开关设计。松木ME60N03特性：VDS=30V RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A ≦ 10mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V,Ids@15A ≦18.5mΩ松木ME60N03应用：●主板（V核）●便携式设...
mos管 20 0
松木ME60N03（替代）CJU4410 TO-252-2L 塑封 MOSFET方案

松木ME60N03（替代）CJU4410 TO-252-2L 塑封 MOSFET方案

松木ME60N03简述：松木ME60N03先进的沟槽工艺技术 用于超低导通电阻的高密度单元设计 专为 PWM 应用的高端开关设计。松木ME60N03特性：VDS=30V RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A ≦ 10mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V,Ids@15A ≦18.5mΩ松木ME60N03应用：●主板（V核）●便携式设...
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松木ME60N04（代替）AOS万代AOD486A N沟道增强模场效应晶体管

松木ME60N04（代替）AOS万代AOD486A N沟道增强模场效应晶体管

   ME60N04一般说明　　ME60N04 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于需要低在线功率损耗的低压应用，例如 LCD 逆变器、计算机电源管理和 DC 到 DC 转换器电路。　　ME60N04特征　　RDS(ON)≦12mΩ@VGS=10...
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