松木ME6980ED(替代)AOS万代AO8814 共漏双N沟道增强模场效应晶体管

松木ME6980ED(替代)AOS万代AO8814 共漏双N沟道增强模场效应晶体管

  ME6980ED一般描述  ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用,如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。  ME6980ED特征  RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V  ...
mos管 163 0
松木ME6980ED(替代)NCE8205B 双N沟道20V(D-S)增强模式Mosfet方案

松木ME6980ED(替代)NCE8205B 双N沟道20V(D-S)增强模式Mosfet方案

ME6980ED一般描述  ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用,如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。  ME6980ED特征  RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V  RD...
mos管 23 0
松木ME2345A-G(替换)长电CJ3401A,P沟道30V(D-S)低压MOS管方案!

松木ME2345A-G(替换)长电CJ3401A,P沟道30V(D-S)低压MOS管方案!

ME2345A / ME2345A-G,松木ME2345A一般说明:ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计,可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用,例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路,在这些应用中,需要在非常小的外形表面安装封装中进行开关和低串联电源损耗。松木ME2345A...
mos管 27 0
合泰-Holtek-HT7533-100mA 低功耗 LDO线性稳压器现货方案!

合泰-Holtek-HT7533-100mA 低功耗 LDO线性稳压器现货方案!

合泰-Holtek-HT7533一般说明HT7533 系列是一套采用 CMOS 技术实现的三端大电流低压稳压器。 它们可以提供 100nA 输出电流并允许高达 12V 的输入电压。 它们具有多种固定输出电压,范围从 2.4V 到 9V。 CMOS技术的优点赋予合泰-Holtek-HT7533特征高输入电压(高达 12V)低功耗高输出电流:100mA (Pd < 250mW)合泰-...
LDO调整器 50 0
岭芯微电子公司网站

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公司全称:上海岭芯微电子有限公司公司官网:  网站已关闭所在地区:徐汇区注:目前岭芯微品牌的元器件已统一对外品牌为上海贝岭,需要岭芯微品牌物料请访问:http://www.icbest.com公司简介: 上海岭芯微电子有限公司的前身是上海贝岭的先进电源事业部。张征等华虹集团最优秀的工艺工程师团队结合贝岭的设计和生产线在2003年11月成立了该事业部。2005年末开始...
半导体芯片 19 0
大功率mos管怎么测量好坏,如何用万用表判断mos管的好坏?够全面!

大功率mos管怎么测量好坏,如何用万用表判断mos管的好坏?够全面!

 MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管,或金属绝缘体半导体。 MOS管的源漏是可以倒置的,都是形成在P型背栅中的N型区。大多数情况下,这两个区域是相同的,即使两端接反,也不会影响设备的性能。这种设备被认为是对称的。  如何用万用表判断mos管的好坏  双极晶体管将输入电流的微小变化放大,然后在输出端输出大电流变化。双极晶体管的增益定义为输出与输入电流的比值 (beta)。另一种称为场...
mos管 45 0
ROHM(罗姆)R6020ENX-Nch 600V 20A 功率 MOSFET

ROHM(罗姆)R6020ENX-Nch 600V 20A 功率 MOSFET

ROHM(罗姆)R6020ENX-Nch 600V 20A 功率 MOSFET●R6020ENX特点1) 低导通电阻。2) 切换速度快。3) 栅源电压(Vss)保证为±20V。4) 驱动电路可以简单。5)并行使用很容易。6) 无铅电镀;符合 RoHSROHM(罗姆)R6020ENX-Nch 600V 20A 功率 MOSFET●R6020ENX应用交换●R6020ENX包装规格类型包装...
mos管 20 0