P 沟道 30V (D-S) MOSFET
ME4435一般说明
ME4435 是采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路。
ME4435特征
● RDS(ON)≦20mΩ@VGS=-10V
● RDS(ON)≦35mΩ@VGS=-4.5V
● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低
● 出色的导通电阻和最大直流电流能力
ME4435应用
● 笔记本电源管理
● 便携设备
● 电池供电系统
● DC/DC 转换器
● 负载开关
● DSC
● LCD 显示逆变器
【松木P沟道 30V (D-S) MOS管ME4435/ME4435-G(替代)长电CJQ4435方案】
CJQ4435描述
CJQ4435 采用先进的沟槽技术，提供出色的
RDS(on)、击穿抗扰度、体二极管特性和超低栅极
抵抗性。 该设备非常适合用作笔记本电脑中的低边开关
CPU核心功率转换。
CJQ4435应用
z 电池开关
z 负载开关
CJQ443封装
SOP8 塑封 MOSFET
Q4435=设备代码实心点=Pin1指示灯实心点=绿色模塑料设备，如果没有，则正常设备YY=日期代码
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